高真空CVD系统\实验室小型真空CVD系统

  高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。二、产品特点高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

  CVD系统设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。

  CVD成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。

  1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

  2、生长腔体采用高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

  3、炉膛采用高纯氧化铝多晶体纤维，不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用质掺钼铁铬铝合金加热丝，温场均匀，能耗低；

  4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作;

  5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

  6、气体种类：He/Ar、C2H2、NH3、N2,H2、PH3、GeH4、B2H6；

  7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制；

  8、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。

  CVD系统产品的特点：

  1、兼容、常压、微正压多种主流的生长模式

  2、可以在1000Pa-0、1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长

  3、使用计算机控制，可以设置多种生长参数

  4、可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程

  5、沉积效率高；薄膜的成分准确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产

  CVD系统用途：

  此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控

  生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验。

  CVD系统组成：

  配置：

  1、1200度开启式真空管式炉（可选配多温区）。

  2、滑动系统分为手动、电动滑动，并配有风冷系统。

  3、多路质量流量控制系统

  4、真空系统（可选配中真空或高真空）

  CVD系统特点：

  1、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

  2、气路快速连接法兰结构采用快捷法兰，提高操作便捷性。

  3、中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵，防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

  4、电动)滑动系统采用温度控制器自动控制炉体移动，等程序完成，炉体按设定的速度滑动，因有滑动限位功能炉体不会发生碰撞，待样品露出炉体后，通过风冷系统快速降温。