CVD气相沉积系统设备：1700℃气相沉积炉

  CVD化学气相沉积炉由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道浮子系统或高精度数字质量流量控制系统组成。CVD化学气相沉积炉可实现真空达0.001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验。

  化学气相沉积CVD系统设计用于在粉末Si材料（通常用作锂电池的负极）上覆盖碳膜。通过在化学气相沉积CVD过程中旋转反应炉管，可以搅拌粉末样品，从而可以均匀沉积碳膜。

  CVD浮子混气系统用途：

  适用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用

  CVD浮子混气系统功能特点：

  1、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，额定真空可达0.0001Pa；

  2、可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制；

  3、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性。

  4、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷；管路采用卡套连接，确保不漏气；

  5、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。

  CVD浮子混气系统主要参数

  设备名称：1700℃气相沉积炉

  额定温度：1700度

  工作温度：≤1600℃

  炉管：采用99氧化铝刚玉管，致密度高，经久耐用，不易断裂

  炉管尺寸：Φ40/60/80*/1000mm

  炉管配件：4个氧化铝管堵

  加热元件：6根U型硅钼棒

  加热区长度：280mm

  恒温区长度：100mm

  升温速率：≤10℃/min

  温控系统：温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能、50段升降温程序

  测温元件：B型双铂铑热电偶

  恒温精度：±1℃

  流量规格：0.3~3L/min

  控制精度：±5%

  极限真空：6.0×10-5Pa

  工作真空：7.6×10-4Pa

  测温元件：B型双铂铑热电偶

  电压：AC220V 50/60Hz

  功率：6KW

  尺寸：高温管式炉：660*580*910mm、混气移动工作台：800*540*720mm

  可选配件：多路浮子或质子混气系统,中、高真空系统，各种刚玉坩埚，刚玉管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪，冷却水循环机等

  供气系统

  质量流量计和不锈钢混气罐都安装在一个移动柜里，移动柜额定可以承重1000Lbs，各通道气路的流量设定和状态显示都集中在触摸屏上，同时可以实时查看气体流量曲线和数据。

  · 标准量程：100sccm、200sccm、200sccm、500sccm(可以定制量程与数量）

  · 质量流量控制器：

  （1）工作电压：AC 220V/50HZ

  （2）工作温度：5-45℃

  （3）工作压强：3×106 Pa

  （4）额定输出功率：23W

  （5）精度：±1.5%FS

  （6）线性：±(0.5-1.5)%F.S

  （7）重复精度：±0.2%F.S

  （8）响应时间：气特性：1-4 Sec，电特性：10 Sec

  （9）工作压差范围：0.1-0.5 MPa

  · PLC触摸屏：

  各通道的气路设定和查看都集中在触摸屏上，可以选配RS485通讯接口和PC控温软件可以连接到电脑上，进行远程控制

  · 机械压力表：量程范围：-0.1-0.15MPa

  · 针阀：316不锈钢

  · 管件：内部连接管道为1/4〞聚四氟管，外部通气管道为1/4〞聚四氟管

  · 气体混料罐：Φ80×120mm

  · 截止阀：316不锈钢针阀Φ1/4〞

  · 产品规格： 600×745×700mm