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PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109/1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10/100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点，工艺流程简单。 PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到不错的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的不错选择。
PECVD系统设备厂家：洛阳西格马高温电炉可生产PECVD系统设备。
SGM PECVD系统配置组成：
1.1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统
PECVD设备主要用途：
高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
PECVD设备技术参数：
| 炉体结构 |
双层炉壳间配有风冷系统，表面温度低； 质高纯氧化铝多晶纤维炉膛，保温性能良好 炉子底部装有一对滑轨，移动平稳 炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却 炉盖可开启设计，可以实时观察加热的物料、更换炉管便捷 |
| 管式炉名称 | 西格马SGM 1200度开启式管式炉 |
| 加热系统 |
加热元件采用质合金丝0Cr27Al7Mo2，表面负荷高、经久耐用 额定温度：1200℃ 工作温度：≤1100℃ 加热区长度：300mm 恒温区长度：200mm 推荐升温速率：10℃/min |
| 温控系统 |
温度控制采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能 30段升降温程序 测温元件：K型热电偶 恒温精度：±1℃ |
| 电源 | 电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW |
| 炉管 |
高纯石英管 尺寸：Φ60*1250mm、Φ80*1250mm、Φ80*1250mm |
| 法兰及支撑 |
SUS304不锈钢法兰，通过用硅橡胶“O”型圈紧密密封 通过KF卡箍完成法兰的连接，放、取物料方便快捷 可调节的法兰支撑架，平衡炉管的受力情况 包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合 |
| 供气系统 |
标准量程：100，200 ，500，1000SCCM； （以氮气标定，除以上标准外量程可选） 准确度：±1.5% 线性：±0.5～1.5%F.S. 重复精度：±0.2%F.S. 响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 工作压差范围：0.1～0.5 MPa 额定压力：3MPa 接头类型：Φ6,1/4''双卡套不锈钢接头 显示：4位数字显示 流量规格：0~500sccm 流量精度：±1.5% |
| 高真空真空系统 |
机械泵 抽气速率：4L/S 容油量：1.1L 电机功率：400W 极限压强：6×10-2Pa 分子泵 抽气速率：100L/S 极限压强：6×10-6Pa 启动时间：＜2min 额定转速：4300转/分 冷却方式：环境温度5-32℃时，风冷；5-40℃时，水冷。 分子泵控制器 电压：220V±22V 启动电流：≤7A 输入频率：47HZ—63HZ 额定输出功率：≤150W 额定加速电压：≤40V 加速时间：≤3min 频率（双速）：高速705HZ±10HZ 低速430HZ±5HZ 复合真空计 测量路数：2路（电阻规、电离规各1路） 工作模式：手动/自动 |
| 电阻规 |
测量范围：1.0×105Pa~1.0×10-1Pa 有效范围：2.5×103Pa~5.0×10-1Pa 控制范围：2.5×103Pa~5.0×10-1Pa 电离规 可测范围：5.0Pa~1.0×10-5Pa 有效范围：1.0Pa~5.0×10-5Pa 控制范围：1.0Pa~5.0×10-5Pa 规管除气方式：焦耳去气 |
| 射频电源系统 |
输出功率:5-500W 功率稳定度：±0.1% 射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005% 额定反向功率:200W 射频接口: 50 Ω, N-type 冷却:风冷 电源:AC187-253V 50/60Hz 输入功率：1KW AC 220V |
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