单晶硅退火设备:单晶硅退火炉
单晶硅为什么需要退火？
在450℃左右，硅中的氧会转化为氧施主，对电阻率的正确测量带来影响。使P型单晶硅电阻率升高，甚至反型；使N型单晶硅电阻率降低。单晶硅在700℃左右退火处理，可以使氧施主回到间隙氧状态，消除氧施主对电阻率测试的影响。单晶硅退火工艺
1.1单晶硅退火工艺流程
1.2单晶硅退火工序内容单晶硅退火工序包括退火工艺以及热氧化工艺。
1.3退火工艺简介退火是一种材料热处理工艺，指的是将材料缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余重力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。
1.4硅热氧化工艺介绍硅(Si)与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅(SiO2)薄膜。这是硅平面技术中一项重要的工艺。
1.5硅热氧化工艺原理
a.将硅片置于用石英玻璃制成的反应管中，反应管用电阻丝加热炉加热一定温度(常用的温度为900～1200℃，在特殊条件下可降到600℃以下)，氧气通过反应管时，在硅片表面发生化学反应：Si(固态)+O2(气态)→SiO2(固态)
2.单晶硅退火的作用
2.1在高温扩散中形成许多缺陷，如空位、填隙原子、位错、层错、杂质诱生缺陷等，经过退火作用，可以对晶格缺陷起到修复作用，减少了复合中心。
2.2高温磷扩散，硅片表面堆积过多磷原子，退火可以激活更多磷原子，降低表面浓度，减少表面“死层”；2.3对Si-SiO2界面悬挂键有一定修复作用,减少Si-SiO2界面悬挂键，减少界面态密度，提高氧化层钝化效果；
2.4提高少子寿命，提高电池效率。
3.杂质耗尽与杂质堆积
3.1掺杂浓度与SiO2的关系
4.SiO2在晶硅电池上的应用
4.1在刻蚀之后，镀膜之前在硅片表面生长一层Si02；
a.生长Si02主要方法：臭氧，化学氧化；b.Si02厚度：几纳米；c.Si02质量检测：水滴亲水性检测。4.2Si02主要作用1.由于硅片表面存在大量悬挂键，Si02可对表面悬挂键起到很好的钝化作用，钝化效果好于氮化硅；
2.抗PID效果：组件在使用过程中会发生电位诱发衰减现象，称为PID。目前认为，在高温高湿条件下，组件边框对电池片正高压，玻璃中的Na+离子迁移到电池表面引起电池失效是主要因素。在电池表面生长致密的二氧化硅层可以有效阻挡Na+向电池片迁移，可以起到很好的抗PID效果。
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