1700℃升降式蓝宝石退火炉是一种具有料台升降式设计的高温电炉设备、可控气氛热处理炉，具有以下特点：

1.料台升降式设计：该炉子的料台采用升降式设计，同时具有炉门的功能。料台安装在炉膛的下方，可以方便地升降，以便于取放物品，提高操作的便利性和安全性。

2.方便的装卸物料：料台可以轻松地移出炉体，使得装卸物料变得更加方便。这种设计可以有效节省操作时间，并减少操作风险，提高工作效率。

3.高纯氧化铝空心球板：料台采用高纯氧化铝空心球板组合制作，确保了良好的保温性能和承重性能。高纯氧化铝材料具有优异的耐高温性能和化学稳定性，能够满足退火炉的特殊需求。

1700℃升降式蓝宝石退火炉主要用于蓝宝石材料的退火处理，适用于蓝宝石制备工艺、晶石、陶瓷、半导体行业等领域。它能够提供稳定的温度环境，满足蓝宝石材料在高温下的退火需求。

请注意，具体的设备操作和使用方法需要参考设备的说明书和使用指南，以确保正确的操作和安全性。

主要技术参数

1、电炉名称：1700℃

2、设计温度：1700℃

3、电炉结构：丝杆升降式，料台可拉出

3、炉膛尺寸：可定制

4、加热元件：硅钼棒

5、炉温均匀性：±10℃（空炉时）

6、空炉升温时间：≤30h（空炉升温）

7、空炉损耗：≤30%

8、控温精度：±1℃

9、控温方式：PID调控，程序控制，采用可编程智能程序控温。

10、热电偶型号：B型

11、炉体表面温度：≤55℃

12、炉膛材料：摩根纤维板

13、料台性能：自动升降、可拉出

14、额定电压：AC380V

蓝宝石退火作用介绍

蓝宝石（Sapphire）作为一种重要的晶体材料，在制备和加工过程中需要进行退火处理。蓝宝石的退火主要是为了改善其晶体结构、减少内部应力和缺陷，并提高其物理、化学性能和加工性能。

通过退火，可以实现以下效果：

1、晶体结构优化：蓝宝石晶体在生长和加工过程中可能会出现晶格缺陷和应力积累，退火可以帮助晶体更好地恢复其正常晶体结构，提高晶体质量。

2、减少内部应力：蓝宝石在制备和加工中会受到应力的影响，如塑性变形、晶体生长等，退火可以帮助减少或消除内部应力，提高材料的稳定性和可靠性。

3、消除缺陷和杂质：退火过程中，高温使得晶体内部的缺陷和杂质发生扩散和重排，有助于去除或减少缺陷和杂质对材料性能的影响。

退火温度会根据具体的蓝宝石材料和应用需求而有所变化。通常情况下，蓝宝石的退火温度可以在约1100℃到1800℃之间。具体的退火温度会受到材料的尺寸、纯度和特定应用要求的影响。在实际操作中，需要根据具体情况进行合理选择和控制退火温度。

需要注意的是，蓝宝石的退火过程需要进行温度控制、时间控制和气氛控制等，以确保蓝宝石的稳定性和质量。因此，在进行蓝宝石的退火处理时，建议参考相应的文献资料或咨询专业的材料科学家或设备制造商，以获得更准确的退火参数和操作指导。

蓝宝石退火用高温升降炉

蓝宝石退火炉原理

蓝宝石退火炉是一种常用于材料热处理的设备，其原理主要包括以下几个方面：

加热原理：蓝宝石退火炉采用电阻加热的方式，通过在退火室内布置的电阻丝等电加热元件进行加热。电流通过电阻丝产生的电阻将电能转化为热能，使退火室内的温度升高。

温度控制原理：蓝宝石退火炉通过控制加热电源的输出功率和时间来控制退火温度。通常采用PID控制系统，根据设定的温度曲线和实时测量的温度值，对加热功率进行精确调节，实现温度的稳定控制。

环境保护原理：蓝宝石退火炉通常配备有气体控制系统，如氮气或氢气等气氛气体进入退火炉内，用于调节炉内气氛，达到保护和控制退火过程中材料的要求。

总之，蓝宝石退火炉通过电阻加热方式提供热能，通过PID控制系统实现温度的稳定控制，同时配备气体控制系统实现退火过程的环境保护。这样可以满足不同材料的热处理需求，提高材料的性能和品质。

蓝宝石晶片退火的方法步骤

蓝宝石晶片退火的方法大致包括以下几个步骤：

1、将蓝宝石晶片装入退火炉中，快速升温至低温度区域（150°C-300°C），保持2-4小时。这个阶段的升温时间为1-2小时。

在低温区保温过程中，适时旋转装载蓝宝石晶片的工装，使整个晶片受热均匀。

2、经过低温保温一段时间后，再升温至中温度区域（600°C-800°C），保持5/10小时。这个阶段的升温时间为4-6小时。

在中温区保温过程中，同样适时旋转晶片，以保证晶片受热均匀。

3、经过中温保温一段时间后，再升温至高温度区域（900°C/1600°C），保持10/20小时。这个阶段的升温时间为6/20小时。

在高温区保温过程中，同样进行晶片旋转，以确保晶片退火均匀。

4、高温保温结束后，以每小时10°C-50°C的速率降温至室温，然后取出晶片。

通过这种分阶段升温、保温，并适时旋转晶片的退火方法，可以实现蓝宝石晶片加工应力的均匀释放，减小温度场对加工应力释放的影响，从而减小晶片的翘曲度，提高晶片的质量。